ГЛАВНАЯ   НОВОСТИ   СМАРТФОНЫ И ПЛАНШЕТЫ   НОУТБУКИ И ПК   ФОТОТЕХНИКА   ГАДЖЕТЫ   ИГРЫ И ПРИЛОЖЕНИЯ   ИНТЕРНЕТ
© d-devices.ru
Цифровые устройства и популярные гаджеты
Powered by
Aleks WebStudio
27.01.2015   3D NAND в широкие массы
   В декабре 2014 г. компания Samsung представила SSD потребительского класса с поддержкой технологии трехмерной флеш-памяти.
   Компания Samsung в конце 2014 г. сообщила об использовании технологии 3D VNAND в недорогих устройствах потребительского класса. Ожидается, что этот шаг поможет привлечь к новым твердотельным накопителям внимание любителей компьютерных игр и профессиональных пользователей.

   Модель 850 EVO придет на смену устройству 840 EVO, выпущенному в 2013 году. Если в 840 EVO использовалась двухмерная планарная память NAND; то в 850-й версии установлено 32 слоя памяти NAND, Ожидается, что к 2017 году высота ячеек NAND может достичь уже 100 уровней. В результате емкость одной микросхемы составит 1 Тбит, тогда как при использовании двухмерных планарных технологий она на сегодняшний день не превышает 250 Гбит, В каждом транзисторе накопителя будет храниться 3 бит данных.
"Первоначально мы планировали устанавливать устройство в настольные или портативные компьютеры потребительского класса, но, убедившись в его высокой производительности и надежности, решили предложить накопитель любителям игр и пользователям, выполняющим большое количество операций записи", - отметил старший менеджер Samsung по маркетингу Ричард Нарз.

   В Samsung реализовали в устройстве поддержку технологии Turbo-Write, благодаря чему скорость выполнения операций записи в произвольные области памяти выросла по сравнению с его предшественником в 1,9 раза. Согласно спецификациям, скорость произвольного чтения 850 EVO составляет не менее 98 тысяч, операций ввода-вывода в секунду, а произвольной записи - 90 тыс. Скорость последовательного чтения при заполнении всего пространства накопителя достигает 540 Мбайт/с, а последовательной записи - 520 Мбайт/с.
Поскольку слои памяти NAND размещаются вертикально, транзисторы в ячейках, хранящих биты данных, расположены не так близко друг к другу, что повышает устойчивость архитектуры.

   По словам Нарза, по критерию надежности 850 EVO вдвое превосходит предыдущий накопитель. Кроме того, конструкторам удалось сократить на 30% энергопотребление нового накопителя. Во время выполнения операций чтения устройство потребляет в среднем 3,7 Вт, а при выполнении операций записи - 4,4 Вт. В моменты простоя SSD расходует всего 2 мВт электроэнергии.

   Благодаря более высокой надежности срок гарантии на модель 850 EVO увеличен до пяти лет. У предыдущей модели гарантийный срок ограничивался тремя годами, Накопитель 850 EVO поставляется в версиях емкостью 120, 250, 500 Гбайт и 1 Тбайт. Модель объемом 250 Гбайт рассчитана на запись 40 Гбайт данных ежедневно и 75 Тбайт в течение пяти лет. Модель емкостью 1 Тбайт выдерживает запись до 80 Гбайт в день и до 150 Тбайт на протяжении срока службы, который должен составлять не менее пяти лет.