ГЛАВНАЯ   НОВОСТИ   СМАРТФОНЫ И ПЛАНШЕТЫ   НОУТБУКИ И ПК   ФОТОТЕХНИКА   ГАДЖЕТЫ   ИГРЫ И ПРИЛОЖЕНИЯ   ИНТЕРНЕТ
© d-devices.ru
Цифровые устройства и популярные гаджеты
Powered by
Aleks WebStudio
27.05.2015   Стоит ли рядовому пользователю переходить на DDR4?
   DDR DRAM - это динамическая память для компьютеров с удвоенной скоростью передачи данных. Она используется как в  стационарных, так и в мобильных ПК, а также планшетах, смартфонах и других электронных гаджетах.
   Оперативная память DDR вышла в начале 2000-х и полностью описана в спецификации JEDEC. Она использует удвоенную частоту работы, поэтому и называется DDR (двойная передача данных). Базовая частота DDR варьируется от 100 до 2б7 МГц, однако обычно указывают результативную, а это уже 200-533 МГц. Стоит понимать и различать эти два параметра, потому что в DDR2 результирующая частота складывается из частоты шины, умноженной на коэффициент.
   Строки и колонки
   Память имеет сложную организацию, состоящую из рангов, микросхем, книг, ячеек, строк и столбцов. Привычный на первый взгляд модуль состоит из нескольких микросхем. Располагают их либо с одной стороны (такой модуль называется односторонним), либо с двух сторон (двухсторонний). Ряд микросхем с одной стороны называется ранг. Он делится на микросхемы, в которых физические ячейки объединены в книги. Последние имеют строки и столбцы. Самая маленькая ячейка и является конечным адресатом при работе процессора с памятью.

   Тайминги памяти
Краткое обозначение оперативной памяти в виде DDR 533 зачастую не совсем полноценно передает все характеристики. У нее также существуют первичные и вторичные тайминги, На них следует обратить особое внимание. Например, для DDR формула 4-4-4-8 1Т обозначает задержки CL, Trcd, Trp, Tras и CR соответственно. Рассмотрим эти показатели подробнее.

CL - задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных.
Trcd - время, требуемое на чтение первого бита из ячейки памяти.
Trp - минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка памяти.
Tras - минимальное время между активацией строки памяти и подачей команды в нее.
CR - время, необходимое контроллеру памяти для распознавания команд и декодирования адресов памяти.

   Сбор данных
   Почему же с переходом от одного поколения памяти к другому увеличиваются задержки? Ответ на этот вопрос лежит на поверхности, У DDR-памяти микросхемы работали на частоте до 200 МГц. В буфер передавалась информация с той же частотой за один проход. Внешняя шина обмена данными была удвоена. Для обработки запросов процессору требуется подождать два такта работы памяти, так как скорость ячеек памяти и буфера снижена относительно внешней шины ровно в два раза. По этой причине память еще называют двухтактовой или 2n-prefetch.

   В DDR2 разработчики увеличили скорость буфера относительно частоты микросхем памяти в два раза, а внешняя шипа ускорилась в четыре раза. Чтобы собрать данные в буфер, процессору приходится ждать четыре цикла.

   У DDR3 разница между частотой ячеек и внешней шиной увеличилась до восьми раз. А раз процессор в простое, и ждет, когда ему можно будет считать или записать в память, то для него предлагается задать периоды ожидания памяти. В них и скрывается расшифровка малопонятных таймингов памяти. Таким образом, инженеры создают высокочастотную память с большой пропускной способностью, но отвечающую на запросы процессора слишком долго. Реальная же частота микросхем на фоне даже первого поколения DDR изменилась не сильно.
   DDR4 - больше скорости
   До третьего поколения памяти сохранялось правило глубины и количества книг в микросхеме. Для того, чтобы еще раз не ухудшать показатели задержек, было предложено сократить длину строки в книгах. В результате при сравнении микросхемы памяти DDR3 с микросхемой DDR4 длина каждой строки DDR4 памяти в четыре раза меньше длины строки DDR3. Это означает, что просмотр книг осуществляется быстрее, нежели DDR3. Но большее число книг (увеличилось с 8 до 16) все равно привело к очередному ухудшению таймингов. С другой стороны, общая пропускная способность существенно возросла. К тому же единственная продающаяся платформа Intel Х99 обладает еще и четырьмя каналами памяти, виртуально расширяющими ширину внешней шины до 256 бит.

   Борьба за энергопотребление
   Начиная с DDR2, разработчики постоянно преследовали еще одну важную цель - снизить напряжение питания и тем самым понизить общий уровень потребления энергии. Казалось бы, как именно всего два-четыре модуля памяти могут повлиять на энергозатраты всей системы, когда один только процессор потребляет порядка 65-125 Вт? На самом деле, снижение энергопотребления влечет за собой другие плюсы: меньший нагрев, более стабильная работа, резерв для увеличения частоты и т. п. Последние факторы привлекают энтузиастов к новейшей платформе Intel Х99.

   Память DDR4 пока еще не оправдывает свою высокую цену. В популярных приложениях найти разницу между очень дорогими комплектами и доступными очень сложно. Итоговая стоимость системы на DDR4 очень высока, ведь пока на рынке у Intel нет конкурентов с процессорами, где количество ядер больше шести. Рядовым  пользователям, вполне комфортно будет оставаться на DDR3, которая уже доказала свою целесообразность и в целом не намного медленнее по сравнению с DDR4. К тому же DDR4 пока не обладает исключительными свойствами и иногда может "не подружиться" с материнской платой. С другой стороны, когда-то и появление DDR3 после DDR2 так же скептически воспринималось покупателями, но постепенно все к ней привыкли, а программисты нашли способы задействовать все возможности новинки.